包装散装

系列-

零件状态停產

FET 类型N 通道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）50A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V

不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）23 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）28nC @ 10V

Vgs（最大值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1680pF @ 25V

FET 功能-

功率耗散（最大值）42W（Tc）

工作温度150°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装ITO-220

封装/外壳TO-220-3 全封装，隔离接片